DRAM je prisutan već neko vreme, međutim, da li je MRAM sledeća velika stvar kada je memorija u pitanju?
Savez između Japana i Amerike pokušava da pronađe zamenu za DRAM – dugogodišnji oslonac kompjuterskog hardvera.
Više od 20 kompanija iz Japana i Amerike udružilo je snage kako bi razvile tehnike za masovnu proizvodnju naredne generacije čip tehnologije nazvane magnetoresistive random access memory, ili MRAM.
Među uključenim kompanijama tu su Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi i američki gigant Micron Technology.
Kompanije će poslati svoje istraživače koji će posetiti Tohoku univerzitet u Japanu, a istraživanje će predvoditi profesor Tetsuo Endoh dok bi razvoj trebalo da bude pokrenut u februaru 2014. godine.
Kada je MRAM u pitnaju, podaci se skladište uz pomoć magnetnih elemenata za skladištenje umesto sadašnjih električnih naboja.
List Nikkei u svom izveštaju tvrdi da MRAM koristi svega trećinu energije u poređenju sa DRAM memorijom ali poseduje 10 puta veći kapacitet i 10 puta veću brzinu pisanja.
Sve ovo MRAM čini idealnim za narednu generaciju smartfona i tableta.
Da li će ove tvrdnje biti manifestovane u komercijalnom proizvodu tek treba da se vidi a početak masovne proizvodnje zakazan je za 2018. godinu.
sandzakhaber / izvor: b92.net